本文源自:金融界
金融界 2024 年 10 月 24 日消息，国家知识产权局信息显示，天津赛米卡尔科技有限公司申请一项名为“一种具有双栅控制的半导体激光器结构及制备方法”的专利，公开号 CN 118801218 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本发明提供一种具有双栅控制的半导体激光器结构及制备方法，结构包括衬底、缓冲层、氮化物外延 DBR、N‑型半导体传输层，N‑型半导体传输层的上部设置有多量子阱层，曝露的 N‑型半导体传输层上部设置有铁电材料、N‑型欧姆电极，铁电材料的上部设置有铁电材料电极，多量子阱层的上部依次设置有 P‑型电流阻挡层、P‑型半导体传输层，P‑型半导体传输层上表面设置有电流限制孔结构层，电流扩展层覆盖在 P‑型半导体传输层和电流限制孔结构层之上；电流扩展层的上侧设置有介质 DBR 和 P‑型欧姆电极；本申请可以增强 VCSEL 电流控制能力，有效地防止器件的反向漏电与抑制有源区漏电水平，改善器件的可靠性和稳定性。
