本文源自:金融界
金融界 2024 年 10 月 26 日消息，国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“MEMS 压力传感器的空腔制作方法”的专利，公开号 CN 118811768 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本发明提供了一种 MEMS 压力传感器的空腔制作方法，包括：步骤 S1：提供一面形成有压力器件的晶圆；步骤 S2：在所述晶圆的另一面上形成有第一图案化的光阻层，在所述晶圆形成有所述压力器件的一面形成一层第一介质层；步骤 S3：提供一载板，所述载板的一面形成有第二介质层；步骤 S4：采用真空硅脂通过黏附所述第一介质层和所述第二介质层，将形成有所述第一图案化的光阻层的晶圆黏附于所述载板上；步骤 S5：对所述步骤 S4 中的晶圆进行深硅刻蚀形成与所述压力器件位置对应的空腔。解决了深硅刻蚀后晶圆翘曲对后续的制作工艺产生不利影响。
