拓荆创益申请散热系统、工艺腔室及半导体加工设备专利,提升加热盘表面的温度均匀性

拓荆创益申请散热系统、工艺腔室及半导体加工设备专利,提升加热盘表面的温度均匀性
2024年10月26日 18:00 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年10月26日消息,国家知识产权局信息显示,拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请一项名为“散热系统、工艺腔室及半导体加工设备”的专利,公开号CN 118814141 A,申请日期为2024年6月。

专利摘要显示,本发明提供了一种散热系统、一种工艺腔室及一种半导体加工设备。所述散热系统包括散热板及支撑件。所述散热板朝向承载晶圆的加热盘的一侧设有散热面。所述散热面被分为多个散热区域,具有较高的第一散热效率的第一散热区域对准所述加热盘的高温区域,而具有较低的第二散热效率的第二散热区域对准所述加热盘的低温区域。所述支撑件的第一端连接所述散热板,而其第二端连接所述加热盘的升降基座以带动所述散热板随所述加热盘进行同步升降。本发明可以通过在加热盘下方设置散热控制板,并根据加热盘的温度分布,差异化地设计不同效率的散热区域,用于在不改变加热盘结构的情况下,满足加热盘不同区域的散热需求,从而提升加热盘表面的温度均匀性。

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