本文源自:金融界
金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法”的专利，公开号CN 118824993 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括：提供第n‑1层介质层，在第n‑1层介质层中形成第n‑1层对准标识和第n‑1层屏蔽标识；形成位于第n‑1层介质层上的第n层介质层，在第n层介质层中形成第n层对准标识和第n层屏蔽标识；第n层屏蔽标识和第n‑1层对准标识对应设置，第n层对准标识和第n‑1层屏蔽标识对应设置；形成位于第n层介质层上的第n+1层光刻层。对第n+1层光刻层对准曝光时，通过第n层对准标识和第n‑1层屏蔽标识两层标识的反射光叠加，保证了对准标识的反射强度和图案清晰度，增强光刻对准标识信号强度；而且，通过屏蔽标识和对准标识的设置，提高了对准标识周边图形密度，抗工艺稳定性明显增强。
