本文源自:金融界
金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，TCL环鑫半导体（天津）有限公司申请一项名为“一种改善碳化硅二极管表面接触的工艺方法”的专利，公开号 CN 118824847 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种改善碳化硅二极管表面接触的工艺方法，包括以下步骤，在衬底的外延层上制备掩膜层；进行第一次离子注入，形成第一离子注入区；对第一次离子注入后的衬底进行氧化，形成氧化层；进行第二次离子注入，形成第二离子注入区；去除掩膜层和氧化层。本发明的有益效果是掩膜层与未被掩膜层覆盖的外延层同时被氧化，形成氧化层，在第二次离子注入时，离子注入窗口的宽度减小，使得第二次掺杂区域位于第一次掺杂区域内部，不会出现在第一次掺杂区域与外延层相邻的边界区域，在得到欧姆接触面的同时不会破坏肖特基接触面额的表面状态，保证碳化硅二极管的生产良率。
