美光科技申请低参数等离子体灰化技术专利,能从衬底至少部分地移除光致抗蚀剂层

美光科技申请低参数等离子体灰化技术专利,能从衬底至少部分地移除光致抗蚀剂层
2024年10月29日 14:30 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年10月29日消息,国家知识产权局信息显示,美光科技公司申请一项名为“低参数等离子体灰化技术”的专利,公开号CN 118824843 A,申请日期为2024年4月。

专利摘要显示,本申请涉及低参数等离子体灰化技术。所述方法可包含在包括光致抗蚀剂层的衬底上执行蚀刻工艺。在一些情况下,所述方法可包含至少部分地基于执行所述蚀刻工艺来至少选择用于固持所述衬底的夹具的温度、经配置以执行等离子体灰化工艺的处理室的温度、所述处理室的压力及等离子体源的功率。所述方法可进一步包含:产生包括氧的等离子体;将所述等离子体施加到所述光致抗蚀剂层;及在所述选定温度、压力及功率下将所述衬底的所述光致抗蚀剂层暴露于所述等离子体以从所述衬底至少部分地移除所述光致抗蚀剂层。

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