本文源自:金融界
金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，上海中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“用于去除硅片表面污迹的方法及系统”的专利，公开号CN 118824840 A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本发明提供了一种用于去除硅片表面污迹的方法及系统，包括如下步骤：步骤S1、清洗：对硅片进行清洗；步骤S2、酸腐蚀：将硅片放入酸腐蚀液中；步骤S3、酸腐蚀后清洗：将硅片表面的酸腐蚀液清洗干净；步骤S4、外观筛选：将不良外观的硅片取出进入步骤S5；步骤S5、碱腐蚀：将不良外观的硅片放入碱腐蚀液中去除一定厚度；步骤S6、碱腐蚀后清洗：将硅片表面的碱腐蚀液清洗干净；步骤S7、外观检查：将外观合格的产品取出。通过TMAH溶液将硅片在碱腐蚀液中去除的一定厚度，把其表面外观上的不良去除干净，将其变成良品,有助于提高产品的良品率。
