本文源自:金融界
金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，拉普拉斯新能源科技股份有限公司申请一项名为“隧穿氧化层和多晶硅层的制备方法及反应炉”的专利，公开号CN 118824842 A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种隧穿氧化层和多晶硅层的制备方法及反应炉，解决了相关技术中隧穿氧化层的制备时间长、制备温度高的问题。本公开提供的隧穿氧化层的制备方法包括反应炉利用臭氧和氧气在第一温度范围内制备隧穿氧化层。由于臭氧的氧化性强，可以在较低温度和较短时间内氧化形成隧穿氧化层，因此，利用臭氧和氧气的混合气体制备隧穿氧化层，相对于利用氧气制备隧穿氧化层，降低了隧穿氧化层的制备温度，缩短了隧穿氧化层的制备时间。
