本文源自:金融界
金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号 CN 118824855 A，申请日期为2023年4月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有凸立的第一牺牲层，第一牺牲层上形成有沟道叠层结构沟道叠层结构包括一个或多个在纵向上依次堆叠设置的沟道叠层，沟道叠层包括第二牺牲层以及位于第二牺牲层上的沟道层，基底上形成有横跨沟道叠层结构的栅极结构，栅极结构覆盖沟道叠层结构的部分顶部和部分侧壁；在栅极结构两侧的沟道叠层结构中形成凹槽；在沟道叠层结构的侧壁形成第一保护层；去除第一牺牲层，形成由沟道叠层结构、栅极结构、以及基底围成的开口；在开口中形成绝缘层，绝缘层位于基底和沟道叠层结构之间。降低去除第一牺牲层的刻蚀工艺对凹槽暴露的沟道叠层结构的侧壁造成损伤的概率，从而提高半导体结构的性能。
