本文源自:金融界
金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN 118825066 A，申请日期为2023年4月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：衬底，具有第一区域、设置在第一区域外侧的第二区域、及设置在第二区域外侧的第三区域，在垂直衬底表面的方向上，第一区域的表面高于第二区域的表面，且第二区域的表面高于第三区域的表面；栅极结构，设置在第一区域的衬底表面；栅极侧墙隔离层，覆盖栅极结构侧壁，且至少覆盖第二区域的衬底表面；源区及漏区，至少位于第三区域的衬底内。在垂直衬底表面的方向上，衬底具有表面高度依次降低的第区域第二区域及第三区域使得衬底中电流最集中点所在位置与衬底中电场强度最大的点所在的位置分离，减少热载流子数量，从而降低了热载流子注入效应的风险。
