合肥鑫晟光电与京东方申请薄膜晶体管及其制作方法与显示面板专利,改善薄膜晶体管驱动带来的电流下降问题

合肥鑫晟光电与京东方申请薄膜晶体管及其制作方法与显示面板专利,改善薄膜晶体管驱动带来的电流下降问题
2024年10月29日 14:35 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年10月29日消息,国家知识产权局信息显示,合肥鑫晟光电科技有限公司和京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“薄膜晶体管及其制作方法与显示面板”的专利,公开号 CN 118825082 A,申请日期为2024年8月。

专利摘要显示,本申请提供一种薄膜晶体管及其制作方法与显示面板,该薄膜晶体管包括设于绝缘衬底上方的有源层、栅极绝缘层、栅极、第一极和第二极,有源层包括源极区、漏极区和位于两者之间的沟道区,栅极绝缘层覆盖至少部分有源层,栅极与沟道区沿厚度方向相对设置,第一极与源极区电连接,第二极与漏极区电连接沟道区包括第厚度区和第二厚度区第厚度区的厚度大于第二厚度区的厚度,第二厚度区至少设有一个,且至少一个第二厚度区靠近漏极区设置。本申请通过将沟道区设置为具有厚度差异的第一厚度区和第二厚度区,且第二厚度区的厚度更小且靠近漏极区设置,使得漏极区不会因热载流子碰撞而产生损坏,从而改善薄膜晶体管驱动带来的电流下降问题。

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