本文源自:金融界
金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，湖北三安光电有限公司申请一项名为“一种半导体发光元件及发光装置”的专利，公开号 CN 118825178 A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体发光元件及发光装置，半导体发光元件自发光外延层向第一表面投影，第一半导体层的下边缘具有第一投影线，第二导电类型半导体层的上边缘具有第二投影线，第一投影线位于第二投影线的外围，并且焊盘电极靠近发光外延层的边缘的投影边界线位于第一投影线和第二投影线之间。上述第一导电类型半导体层的下边缘为第一台面的边界，第二导电类型半导体层的上边缘为第二台面的边缘，因此，在发光外延层向第一表面的投影中，焊盘电极盖过第二台面的边缘，进一步地，相比于第二台面的边缘，使得焊盘电极的边缘更加靠近第一台面的边缘。由此，可以大大增加焊盘电极与固晶的基板之间的结合力。
