镎创显示科技申请微型发光二极管结构及显示面板装置专利,提高外部量子效率

镎创显示科技申请微型发光二极管结构及显示面板装置专利,提高外部量子效率
2024年10月29日 14:50 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年10月29日消息,国家知识产权局信息显示,镎创显示科技股份有限公司申请一项名为“微型发光二极管结构及显示面板装置”的专利,公开号CN 118825161 A,申请日期为2023年4月。

专利摘要显示,本发明为一种微型发光二极管结构及显示面板装置,该微型发光二极管结构主要包含相互迭合的一第一型半导体层、一发光层、一第二型半导体层以及一基底层。发光层的宽度大于第一型半导体层的宽度以及第二型半导体层的宽度且基底层的宽度至少大于第二型半导体层的宽度。本发明亦公开一种混合干式蚀刻与湿式蚀刻的微型发光二极管结构制造方法,除了缩短半导体层在湿式蚀刻制程中接触蚀刻液的时间,以提高蚀刻稳定度外,更可避免干式蚀刻所造成的侧壁的悬浮键(Dangling bond)效应,同时兼具两种蚀刻方式的优势,进一步提高外部量子效率。

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