芯立嘉申请 NOR 型快闪存储器阵列及其工艺方法专利，强化通道诱发三次电子程序化效率_

本文源自:金融界

金融界 2024 年 10 月 30 日消息，国家知识产权局信息显示，芯立嘉集成电路（杭州）有限公司申请一项名为“NOR 型快闪存储器阵列及其工艺方法”的专利，公开号 CN 118829215 A，申请日期为 2024 年 6 月。

专利摘要显示，本发明提供一种 NOR 型快闪存储器阵列及其工艺方法，包含多个存储器单元，被配置为具有行与列的电路组态，各存储器单元包含一通道区、一源极区、一漏极区、一电荷储存物质和一控制栅，沿着一预设方向配置的所述多个存储器单元被分为多个单元配对，使得各所述单元配对分享一共源极区，且所述共源极区被一源极口袋布植区所环绕。所述源极口袋布植区和基板具有相同的导电型态，且所述源极口袋布植区比所述通道区的漏极侧具有更高的杂质浓度。本发明强化通道诱发三次电子程序化效率及改善 NOR 型快闪阵列中栅极长度少于 100 纳米的存储器单元的短通道裕度。