本文源自:金融界
金融界 2024 年 10 月 30 日消息，国家知识产权局信息显示，晶铁半导体技术（广东）有限公司申请一项名为“基于 3D 堆叠的超高密度非易失性存储器及其制备方法”的专利，公开号 CN 118829228 A，申请日期为 2024 年 6 月。
专利摘要显示，本发明属于存储器技术领域，公开了一种基于 3D 堆叠的超高密度非易失性存储器及其制备方法，所述存储器包括：衬底，所述衬底上设有绝缘层，所述绝缘层上设有多存储单元，所述多存储单元包括多个呈水平并列分布的存储模块，每个存储模块由若干层的存储层堆叠形成，每个存储模块的所有存储层上覆盖有鳍形栅，每层存储层包括：GaN 沟道层和设置在 GaN 沟道层上的铁电介质层。本发明的存储器能够在没有持续电源供应的情况下保持数据，具有更低的读写功耗，以及更高的速度和耐用性。
