本文源自:金融界
金融界2024年10月30日消息，国家知识产权局信息显示，浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“一种磁存储器及其制作方法”的专利，公开号CN 118829345 A，申请日期为2023年4月。
专利摘要显示，本申请涉及磁存储器领域，公开了一种磁存储器及其制作方法，包括：获得磁存储器的预制结构体；预制结构体包括底部电路结构、底部电极、存储单元材料层、掩膜结构体，掩膜结构体包括硬掩膜，且硬掩膜之间不连通；氧化掩膜结构体，在掩膜结构体的侧壁形成氧化层，得到处理后掩膜结构体；以处理后掩膜结构体作为掩膜，刻蚀存储单元材料层，形成存储单元；底部电极位于存储单元在水平面的投影范围内；在存储单元的上表面制作顶部电路结构，得到磁存储器。本申请在掩膜结构体的侧壁形成氧化层，可以抑制掩膜结构体在刻蚀时发生反溅，且底部电极在存储单元的水平投影范围内，底部电极不会发生反溅，因此可以极大地降低发生反溅的情况，提升良率。
