本文源自:金融界
金融界 2024 年 10 月 30 日消息，国家知识产权局信息显示，广德特旺光电材料有限公司申请一项名为“一种铝含量低的 SiO 粉体的生产方法”的专利，公开号 CN 118833826 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种铝含量低的 SiO 粉体的生产方法，包括：将工业级硅粉进行预处理；将预处理后的硅粉与工业级二氧化硅粉体加入球磨机中球磨，得到球磨混合料；将球磨混合料浸泡在盐酸溶液中，先在常温下进行超声处理，然后进行微波处理，得到预处理混合料；向预处理混合料中加入去离子水捏合，然后压块，烘干，得到坯体；将坯体在真空条件下加热反应，然后冷凝，收集沉积物，即得 SiO 粉体。本发明的生产方法得到的 SiO 粉体具有铝含量极低的特点，有利于改善锂离子电池硅碳负极材料的电性能。
