重庆芯联微电子申请光阻消退量的测量方法及光学邻近修正方法专利,可准确获得光阻图形的实际光阻消退量

重庆芯联微电子申请光阻消退量的测量方法及光学邻近修正方法专利,可准确获得光阻图形的实际光阻消退量
2024年10月31日 13:25 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年10月31日消息,国家知识产权局信息显示,重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“光阻消退量的测量方法及光学邻近修正方法”的专利,公开号CN 118838127 A,申请日期为2024年8月。

专利摘要显示,本发明提供一种光阻消退量的测量方法及光学邻近修正方法,测量方法包括:提供光阻层,在光阻层定义出目标光阻图形,目标光阻图形上设置有锚定点;依据定义的目标光阻图形对光阻层进行曝光显影,以形成具有锚定点的实际光阻图形;基于实际光阻图形的锚定点位置确定目标光阻图形的目标边缘;通过测量获取实际光阻图形的实际边缘;基于实际边缘与目标边缘的间距,获取实际光阻图形的光阻消退量。本发明基于锚定点可以获取光阻图形准确的目标边缘,及通过测量获得光阻图形的实际边缘后,通过实际边缘与目标边缘的间距,可以准确获得光阻图形的实际光阻消退量。

财经自媒体联盟更多自媒体作者

新浪首页 语音播报 相关新闻 返回顶部