本文源自:金融界
金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种曝光补偿量确定方法”的专利，公开号 CN 118838119 A，申请日期为 2023 年 4 月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种曝光补偿量确定方法，包括：提供衬底，衬底中形成有第一结构和第一掩膜层；执行第一光刻工艺，在第一掩膜层上形成第一光阻图案，获取第一光阻图案与第一结构之间的第一对准偏移量；将第一光阻图案转移到第一掩膜层中形成第一图案；在第一掩膜层上形成第二掩膜层，执行第二光刻工艺，在第二掩膜层上形成第二光阻图案，并获取第二光阻图案与第一图案之间的第二对准偏移量；将第二光阻图案转移到第一掩膜层中形成第二图案，基于第一图案和第二图案形成目标图案；获取目标图案与第一结构之间的第三对准偏移量，并基于各对准偏移量，确定第一光刻工艺的曝光补偿量。提高了曝光补偿量的准确度，提高半导体产品的良率。
