中欣晶圆申请一种提升最终洗净后表面颗粒的设备和清洗工艺专利,有效地去除氧化物

中欣晶圆申请一种提升最终洗净后表面颗粒的设备和清洗工艺专利,有效地去除氧化物
2024年11月04日 14:00 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年11月4日消息,国家知识产权局信息显示,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“一种提升最终洗净后表面颗粒的设备和清洗工艺”的专利,公开号CN 118888470 A,申请日期为2024年7月。

专利摘要显示,本发明公开了一种提升最终洗净后表面颗粒的设备和清洗工艺,本发明涉及硅片清洗技术领域。该提升最终洗净后表面颗粒的设备和清洗工艺,包括清洗池、连通在清洗池上的液位仪,所述清洗池的侧壁上通过安装板固定有电动推杆,所述电动推杆的顶部固定有支撑柱,所述支撑柱的底部设置有盛放网,所述盛放网的内部侧壁上固定有固定夹,所述支撑柱上设置有用于连接盛放网的连接组件以及驱动盛放网转动的动力组件,所述连接组件中包括:活动轴,固定在支撑柱的底部用于给连接组件中的其他零件提供支撑;使DHF清洗液与硅片之间充分接触,将硅片表面生成的自然氧化膜腐蚀掉,有效地去除氧化物,并保持硅片表面的平整度和光洁度,提高产品的质量。

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