本文源自:金融界
金融界 2024 年 11 月 4 日消息，国家知识产权局信息显示，无锡邑文微电子科技股份有限公司申请一项名为“一种超薄金属层的 ICP 刻蚀方法及其应用”的专利，公开号 CN 118888488 A，申请日期为 2024 年 9 月。
专利摘要显示，本发明属于器件加工制造领域，本发明提供了一种超薄金属层的 ICP 刻蚀方法及其应用，所述 ICP 刻蚀方法包括先进行第一 ICP 刻蚀至少去除沟槽外部的超薄金属层，形成去除区域，再于去除区域通过 ICP 沉积聚合物层对去除区域进行保护，接着进行第二 ICP 刻蚀去除沟槽内部的超薄金属层，最后通过 ICP 清洗，去除余下的聚合物层；本发明通过加入聚合物层的沉积步骤，令聚合物在沟槽外部起到保护效果，使得沟槽外部与内部金属的刻蚀速率的差异得到补偿，改善了由于深度不同引起的刻蚀速率均匀性差的问题。该方案可以在传统 ICP 设备上使用，可以绕过 ALE 技术的使用限制，对设备配置要求不高，有效节约成本并提高刻蚀速率。
