本文源自:金融界
金融界2024年11月4日消息，国家知识产权局信息显示，华引芯（武汉）科技有限公司、华引芯（张家港）半导体有限公司申请一项名为“一种发光二极管封装结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 118888668 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本申请提供一种发光二极管封装结构及其制备方法，所述发光二极管封装结构包括发光二极管芯片、色转换膜和第一反射膜，所述色转换膜设置在所述发光二极管芯片的出光面上，所述第一反射膜设置在所述色转换膜的侧壁上；其中，所述色转换膜包括在所述发光二极管芯片的出光面上依次层叠设置的第一透明保护层、色转换层和第二透明保护层。本申请提供的发光二极管封装结构中，设置在所述色转换膜的侧壁上的所述第一反射膜能够减小出光角度，增加正面出光，并且，由于所述色转换层的外侧设置有透明保护层，进而能够在研磨过程中，对色转换层进行保护，从而能够使发光二极管封装结构的色温区间处于正常范围，提高发光二极管封装结构的生产良率。
