本文源自:金融界
金融界2024年11月4日消息，国家知识产权局信息显示，杭州积海半导体有限公司申请一项名为“浮栅结构的制备方法、浮栅结构及闪存器件”的专利，公开号CN 118888435 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种浮栅结构的制备方法、浮栅结构及闪存器件，具体涉及半导体技术领域。所述制备方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有至少两个隔离结构，相邻的两个所述隔离结构之间形成上窄下宽的梯形沟槽；在所述梯形沟槽的底部形成隧穿氧化层；在所述梯形沟槽的侧壁上形成多晶硅垫层，以使所述梯形沟槽转变成矩形沟槽；向所述矩形沟槽内填充多晶硅，形成浮栅。该方法可以有效改善浮栅填充过程中的空洞问题，提高器件的可靠性。
