本文源自:金融界
金融界2024年11月4日消息，国家知识产权局信息显示，江西萨瑞半导体技术有限公司申请一项名为“一种缓启动功率MOS晶体管及其制备方法”的专利，公开号CN 118888598 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种缓启动功率MOS晶体管及其制备方法，通过设置于N型外延层中的第一沟槽和与第一沟槽间隔的第二沟槽；第一沟槽的表面沉积有第一氧化层，第一氧化层形成的沟槽内填充有栅极多晶硅，第一沟槽远离第二沟槽一侧的N型外延层中，沿第一沟槽的深度方向上，依次设置有第一N型子层和第一P型子层，第一N型子层的掺杂浓度高于N型外延层的掺杂浓度；第二沟槽的表面沉积有第二氧化层，第二氧化层形成的沟槽内填充有电容多晶硅，电容多晶硅沿第二沟槽的深度方向上，依次设置有第二N型子层和第二P型子层，第一N型子层与第二N型子层的掺杂浓度相同；其中，第二沟槽的深度大于第一沟槽的深度，以增大其米勒电容，延长米勒平台持续时间。
