横店集团东磁股份有限公司申请利用激光去除TBC太阳能电池硅片绕镀层专利，具有高效、负面影响小的优点_

本文源自:金融界

金融界2024年11月4日消息，国家知识产权局信息显示，横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“一种利用激光去除TBC太阳能电池硅片绕镀层的方法”的专利，公开号CN 118888646 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种利用激光去除TBC太阳能电池硅片绕镀层的方法。本发明采用“三步法”激光处理+碱清洗方式来去除硅片正面及侧面的绕镀层，具有高效、负面影响小的优点，并且去绕镀过程中无需经过酸处理，更加环保以及成本低的特点。