本文源自:金融界
金融界2024年11月4日消息，国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“一种多沟道HEMT器件及其制作方法”的专利，公开号CN 118888580 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种多沟道HEMT器件及其制作方法，该器件包括半导体基底、源极区及漏极区，其中，半导体基底包括多个层叠且形成有二维电子气的异质结构层，源极区及漏极区形成于半导体基底中，源极区包括多个间隔排列的源极注入区，漏极区包括多个间隔排列的漏极注入区，在源极区指向漏极区的方向上，多个源极注入区的深度递减，多个漏极注入区的深度递增，每一源极注入区及每一漏极注入区至少电连接一个二维电子气。该器件在半导体基底中形成有多个深度不同源极注入区及漏极注入区，使得器件工作时不同沟道的电流经由不同途径分散流通，避免了器件中局部区域的电流集中问题的发生，有效提高器件的散热性与可靠性，保证了器件的长期稳定性。
