本文源自:金融界
金融界 2024 年 11 月 4 日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法”的专利，公开号 CN 118888439 A，申请日期为 2023 年 4 月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法。该方法包括：提供衬底，衬底包括芯片区域和切割道区域；在衬底上形成第一掩膜图案层，其包括多个目标环状图案，每个目标环状图案包括位于芯片区域中且沿第一方向延伸的两个目标长条状图案，目标长条状图案在芯片区域中间隔排布；在第一掩膜图案层上形成第二掩膜图案层，第二掩膜图案层包括阵列排布的多个目标孔状图案；在第二掩膜图案层上形成第三掩膜图案层，其包括用于在芯片区域中限定出阵列区域的开口图案；以第三掩膜图案层、第二掩膜图案层和第一掩膜图案层为掩膜，逐层刻蚀，在衬底的阵列区域中形成阵列排布的多个第一有源区。本公开的方法能够确保位于阵列区域的边缘部分的图案的一致性。
