本文源自:金融界
金融界 2024 年 11 月 4 日消息，国家知识产权局信息显示，无锡旷通半导体有限公司申请一项名为“多级沟槽半掩埋屏蔽 SGTMOSFET 器件及其制备工艺”的专利，公开号 CN 118888584 A，申请日期为 2023 年 12 月。
专利摘要显示，本申请公开了一种多级沟槽半掩埋屏蔽 SGTMOSFET 器件，包括，衬底，所述衬底上制备硅外延层，所述硅外延片的表面推进有 P 型体区和有源区 N 型离子层，所述有源区 N 型离子层的深度大于 P 型体区；有源区沟槽，所述有源区沟槽开设于硅外延层上，且深度介于 P 型体区和有源区 N 型离子层之间；一级沟槽，所述一级沟槽开设于硅外延层上；二级沟槽，所述二级沟槽开设于硅外延层上，所述二级沟槽沿所述一级沟槽的侧壁开设，且所述二级沟槽的宽度大于一级沟槽、深度小于一级沟槽。本申请使用多次挖槽刻蚀技术实现多层级沟槽，在沟槽底部实现深注入的半包屏蔽隔离的离子注入层，减少芯片面积的同时实现优良的导通电阻与通流能力。
