西安镭特申请一种半导体激光器封装模块专利,激光芯片作用在高功率条件下时不会造成热堆积

西安镭特申请一种半导体激光器封装模块专利,激光芯片作用在高功率条件下时不会造成热堆积
2024年11月04日 14:51 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年11月4日消息,国家知识产权局信息显示,西安镭特电子科技有限公司申请一项名为“一种半导体激光器封装模块”的专利,公开号CN 118889184 A,申请日期为2024年7月。

专利摘要显示,本发明公开了一种半导体激光器封装模块,涉及半导体激光技术领域,包括激光器热沉模组,激光器热沉模组包括热沉,热沉上设置第二桥接电极,热沉的内部设置散热齿通道热沉侧部竖直设置多个单元结,单元结之间设置第一桥接电极,单元结包括在热沉外圈上环形设置的多个金刚石铜电极,金刚石铜电极间设置半导体激光芯片,水电模组的端盖上水平设置有多个引线电极。本发明在使用时,电流从引线电极进入,流经第二桥接电极正极,流经金刚石铜电极正极,流经半导体激光芯片,流经金刚石铜电极负极,流经第二桥接电极负极,最后从另一端的引线电极流出,激光芯片作用在高功率条件下时,不会造成热堆积,且在激光芯片出光时有更好的热交换。

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