本文源自:金融界
金融界2024年11月6日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种具有抑制垂直模跳上波导层的氮化镓基半导体激光元件”的专利，公开号CN 118899744 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明提出了一种具有抑制垂直模跳上波导层的氮化镓基半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上包覆层，所述上波导层包括从下至上依次设置的第一抑制垂直模跳上波导层、第二抑制垂直模跳上波导层和第三抑制垂直模跳上波导层，所述第一抑制垂直模跳上波导层、第二抑制垂直模跳上波导层和第三抑制垂直模跳上波导层中空穴迁移率、形变势、横向声速和价带有效态密度往上包覆层方向具有变化趋势。本发明能够抑制垂直模跳，同时，进一步抑制垂直方向的横跳，提升远场FFP图像质量。
