本文源自:金融界
金融界2024年11月6日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种具有内部光吸收损耗抑制层的半导体激光器”的专利，公开号 CN 118899743 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本发明提出了一种具有内部光吸收损耗抑制层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述上限制层包括第一子上限制层和第二子上限制层，所述第一子上限制层与所述第二子上限制层之间设置有内部光吸收损耗抑制层，所述内部光吸收损耗抑制层、第一子上限制层和第二子上限制层中均具有价带有效态密度变化趋势和饱和电子偏移速率变化趋势。本发明能够降低上限制层对光场的吸收损耗，提升空穴浓度和注入效率，提升有源层载流子分布均匀性，从而提升发光器的发光效率和斜率效率。
