本文源自:金融界
金融界2024年11月6日消息，国家知识产权局信息显示，上海新硅聚合半导体有限公司申请一项名为“一种单晶压电薄膜结构及制备方法”的专利，公开号CN 118900617 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本申请公开了一种单晶压电薄膜结构及其制备方法，该单晶压电薄膜结构包括衬底层和单晶薄膜层，单晶薄膜层位于衬底层的表面上；单晶薄膜层的欧拉角的进动角为0，章动角的为θ±n*180°，旋进角为0，θ的取值范围为‑90°～‑20°，n为正整数；其中，单晶压电薄膜结构被相同条件的离子注入时，弯曲度变化为正值，其弯曲度变化与单晶薄膜层的欧拉角的θ值成反比。本申请的单晶压电薄膜结构的弯曲度变化与欧拉角的θ值成反比，这种性质增强了材料的可控性，允许通过调整离子注入和θ值来精确控制形变，也为设计提供了更大的灵活性，可实现声波或光波能量的局域化，进而有利于提升基于单晶压电薄膜的相关元器件的性能。
