本文源自:金融界
金融界2024年11月8日消息，国家知识产权局信息显示，无锡索奥半导体科技有限公司取得一项名为“一种气旋等离子燃烧腔结构”的专利，授权公告号 CN 221958882 U，申请日期为2024年3月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种气旋等离子燃烧腔结构，包括燃烧腔，燃烧腔具有进气口和出气口，位于进气口侧设置有同轴伸入燃烧腔内的等离子炬；燃烧腔内设置有连通进气口的布气环腔，等离子炬伸入布气环腔的内圈，布气环腔的外圈与燃烧腔的内侧壁之间限位形成气旋生成腔，布气环腔的外壁设置有与布气环腔的径向构成钝角形态的布气嘴，从布气嘴吹出的尾气经气旋生成腔呈环形路径导流，构成包围等离子炬的高温火焰的气旋结构。本实用新型通过在燃烧腔内布置布气环腔进行布气，使进入燃烧腔的尾气形成包围等离子炬的高温火焰的气旋结构，从而提高对尾气高温处理的彻底性与高效性。
