深圳市铭创存储科技取得具有散热结构的高速硬盘扩展卡专利,避免线缆与零件接触造成受损情况

深圳市铭创存储科技取得具有散热结构的高速硬盘扩展卡专利,避免线缆与零件接触造成受损情况
2024年11月08日 12:35 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年11月8日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市铭创存储科技有限公司取得一项名为“具有散热结构的高速硬盘扩展卡”的专利,授权公告号CN 221960480 U,申请日期为2024年3月。

专利摘要显示,本实用新型公开具有散热结构的高速硬盘扩展卡,涉及计算机存储领域。该装置包括硬盘扩展卡主体、安装座、设置在安装座内壁的散热扇以及用于散热扇与硬盘扩展卡主体相连接的线缆,硬盘扩展卡主体的顶部端面设置有多组连接端口。该具有散热结构的高速硬盘扩展卡,通过在硬盘扩展卡主体上安装座的外壁设置限位件,限位件的设置位置可根据实际情况进行灵活的变动,使得限位件对用于散热扇与硬盘扩展卡主体之间连接的线缆的放置位置进行限定,避免线缆与硬盘扩展卡主体上的其他零件接触缠绕造成线缆或者高速硬盘扩展卡受损的情况出现,影响硬盘扩展卡处散热扇的稳定散热,进而影响高速硬盘扩展的稳定运行。

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