本文源自:金融界
金融界2024年11月8日消息，国家知识产权局信息显示，福建华佳彩有限公司取得一项名为“一种改善曝光机光刻精度的掩膜版”的专利，授权公告号 CN 221960404 U，申请日期为2024年1月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种改善曝光机光刻精度的掩膜版，所述光刻掩膜版由基板、镀层、薄膜和框架构成， 所述框架围设于所述基板的下方，所述镀层和薄膜位于所述框架内部，且依次设置于所述基板的下方，所述镀层由若干遮光区和透光区依次交替排列构成，所述遮光区的宽度为L,所述透光区的宽度为D，光刻后形成的金属线宽为l,金属线距为d,其中L‑l＝‑0.6um，D‑d＝0.6um。本实用新型采用Mask(掩膜版设计尺寸)‑ADI(光刻工艺后线宽尺寸)＝‑0.6um的弱曝设计方式，能保证有足够大的space来提升光刻精度，简单方便，成本低。
