厦门士兰明镓化合物半导体取得发光二极管专利,控制开口形状即可控制发光形状

厦门士兰明镓化合物半导体取得发光二极管专利,控制开口形状即可控制发光形状
2024年11月08日 13:55 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年11月8日消息,国家知识产权局信息显示,厦门士兰明镓化合物半导体有限公司取得一项名为“发光二极管”的专利,授权公告号CN 221961001 U,申请日期为2023年12月。

专利摘要显示,本实用新型实施例公开了一种发光二极管,该发光二极管从下到上依次包括衬底、外延层、介质层和电流扩展层。外延层从下到上依次叠置第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层。介质层覆盖外延层的表面和侧壁,介质层的中间区域具有开口,电流扩展层覆盖从开口中露出的第二半导体层并延伸覆盖部分介质层的表面。发光二极管中还设置与第二半导体层电连接的第一焊盘以及与第一半导体层电连接的第二焊盘。当第一焊盘和第二焊盘导通时,从开口中露出的第二半导体层以及第一半导体层导通发光二极管的发光形状与开口形状相同本实用新型实施例通过上述结构,提供了通过控制开口形状即可控制发光形状的发光二极管。

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