本文源自:金融界
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，森一量子科技（厦门）有限公司取得一项名为“一种制备二氧化碲声光晶体的坩埚下降法生长装置”的专利，授权公告号CN 221971728 U，申请日期为2024年3月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种制备二氧化碲声光晶体的坩埚下降法生长装置，内腔设有多个具有一定厚度的T型隔热块，T型隔热块具有隔热作用，将内腔分为高温区、温度梯度区与低温区；高温区设有若干U型加热棒，所述T型隔热块是上宽下窄定向减薄的结构；炉体底部还设有升降机构，升降机构实现坩埚的纵向移动。本实用新型优化晶体生长时的固液界面，使其始终可以近似地保持平面或微凸向熔体，有效地降低晶体生长时的多晶包络和成分过冷等问题实现高质量二氧化碲晶体的生长，大幅度提高了晶体的质量和有效利用率。
