本文源自:金融界
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，深圳国微福芯技术有限公司申请一项名为“可降低对光刻机性能要求的版图掩膜处理方法、光刻方法”的专利，公开号CN 118915379 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种可降低对光刻机性能要求的版图掩膜处理方法、光刻方法。其中可降低对光刻机最小分辨率性能要求的版图掩膜处理方法，包括：步骤 1，对设计版图中的几何图形的关键尺寸以及分布特征进行分析，并从中提取出适合进行 DSA 工艺处理的局部版图作为 DSA 工艺版图；步骤 2，对 DSA 工艺版图进行 DSA 工艺处理，根据 DSA 工艺对版图的作用特征，生成 DSA 工艺版图的先导版图；步骤 3，将所述 DSA 工艺版图替换为对应的先导版图；步骤 4，将先导版图单独或者与原设计版图中的剩余部分进行合并，生成新的两个或一个掩膜，并对掩膜进行优化。本发明可以突破现有的光刻机的极限，能够在在晶圆硅片上制造出符合工艺要求的该类几何图形。
