本文源自:金融界
金融界 2024 年 11 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，无锡中微爱芯电子有限公司申请一项名为“一种提高 flash 使用寿命的数据存储方法”的专利，公开号 CN 118915962 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本发明涉及 flash 技术领域，本发明提供了一种提高 flash 使用寿命的数据存储方法，解决了现有技术的方案复杂，需要对 flash 各区域进行划分，擦写情况进行管理，影响读写速度，应用不友好等问题；包括如下步骤：步骤 1.通过上位机下载写入程序；步骤 2.上位机回退程序流程步骤和步骤 3.芯片工作流程步骤。这种方法使 flash 各区域擦除次数一致，不需要记录次数。而且支持首次写入程序的首地址灵活选择，可以将芯片初始化程序或者固定数据放在低地址上，应用程序跳过此块区域，不需要每次重新烧写。
