泉彗达申请 NAND 闪存数据处理专利,能提高数据写入效率

泉彗达申请 NAND 闪存数据处理专利,能提高数据写入效率
2024年11月11日 13:35 金融界网站

本文源自:金融界

金融界 2024 年 11 月 11 日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市泉彗达科技有限公司申请一项名为“NAND 闪存的数据处理方法、装置、存储介质及电子设备”的专利,公开号 CN 118915965 A,申请日期为 2024 年 7 月。

专利摘要显示,本申请实施例公开了一种 NAND 闪存的数据处理方法、装置、存储介质及电子设备,涉及计算机领域。本申请通过引入 SRAM 作为数据缓冲区并优化 NAND 闪存的数据处理方法,为高频次数据量小的嵌入式系统应用场景提供了一种有效的解决方案。它不仅能够延长 NAND 闪存的寿命,还能提高数据写入效率、降低系统功耗并增强系统稳定性。

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