本文源自:金融界
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“一种封装后修复电路和一种测试方法”的专利，公开号 CN 118918936 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种一种封装后修复电路和一种测试方法，其中，封装后修复电路包括：使能电路，被配置为，接收模式寄存器的寄存码生成测试模式进入信号，当测试模式进入信号有效时，指示存储器进入测试模式；地址解码器，被配置为，接收命令信号，并根据命令信号中的N位进行解码，生成对应的测试地址和测试值；熔丝电路，被配置为，根据接收的测试地址、测试值对熔丝进行烧写，并广播读出熔丝的值至第三模式寄存器。这样，通过设置模式寄存器的寄存码为预设值，可以指示存储器进入测试模式，即用户期望的特殊模式，用户可以通过烧写熔丝，实现对特殊模式的设置和切换，不需要在DRAM芯片上设置额外的焊盘，提高了芯片的集成度。
