本文源自:金融界
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，浙江柔震科技有限公司申请一项名为“导电膜及其制备方法”的专利，公开号CN 118919130 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种导电膜及其制备方法，属于导电膜技术领域，包括支撑层和对应弯折区在支撑层表面形成的过渡层，至少在过渡层表面形成导电层；弯折区的过渡层弯折后与导电层具有第一位相对移量L1，非弯折区的过渡层弯折后与导电层具有第二相对位移量L2，并满足L2大于L1。本发明的导电膜，过渡层在非弯折区具有相对更大的相对位移量，因此在弯折后，其产生的弯折应力，可以通过相对位移量大的非弯折区的层间滑移进行释放，能够一定程度减少弯折区应力过于集中的情况。
