博感电子申请一种微米级芯片巨量转移和自键合制备方法专利,可实现微纳米级高精度对位

博感电子申请一种微米级芯片巨量转移和自键合制备方法专利,可实现微纳米级高精度对位
2024年11月11日 20:20 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年11月11日消息,国家知识产权局信息显示,晋江市博感电子科技有限公司申请一项名为“一种微米级芯片巨量转移和自键合制备方法”的专利,公开号CN 118919626 A,申请日期为2024年7月。

专利摘要显示,本发明涉及一种微米级芯片巨量转移和自键合制备方法,属于集成电路和光电显示技术领域。微米级芯片具备特殊结构,与之键合的目标基板具备承接对应微米级芯片的特殊结构阵列,通过外力驱动下使得微米级芯片与目标基板上对应微米级芯片的特殊结构阵列实现自生长互联并达到自键合的目的。本发明方法可实现物理结构键合牢固并具备良好的电性连接,芯片自键合制备过程可实现微纳米级高精度对位。

财经自媒体联盟更多自媒体作者

新浪首页 语音播报 相关新闻 返回顶部