本文源自:金融界
金融界 2024 年 11 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，苏州德信芯片科技有限公司申请一项名为“一种复合栅结构 MOSFET 器件及其制备方法 ”的专利，公开号 CN 118919569 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本发明涉及一种复合栅结构 MOSFET 器件及其制备方法。器件包括：N+衬底层：N‑外延层；P 型 body 区，位于 N‑外延层背向 N+衬底层一侧，并嵌入 N‑外延层；P 型 body 区之间的 N‑外延层为沟道区；有源掺杂区，位于 P 型 body 区背向 N+衬底层一侧，并嵌入 P 型 body 区内；N‑外延层包围 P 型 body 区，P 型 body 区包围有源掺杂区；复合栅结构，位于 N‑外延层背向 N+衬底层一侧表面，至少覆盖沟道区；复合栅结构包括二氧化硅栅和三氧化二铝栅三氧化二铝栅覆盖二氧化硅栅背向 N‑外延层一侧的表面。正面电极；背面电极。本发明提供的复合栅结构 MOSFET 器件能在 MOSFET 器件的栅厚度较低时提高器件的栅耐压能力，使得复合栅结构不易被击穿，提高器件的可靠性。
