本文源自:金融界
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号 CN 118919537 A，申请日期为 2024 年 10 月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：包括衬底和介电层；衬底包括器件区和外围区；器件区包括间隔排布的至少两个晶体管；外围区包括电阻结构；介电层位于衬底顶面，至少两个晶体管的栅极结构贯穿介电层；电阻结构贯穿介电层；电阻结构包括导电结构，以及位于导电结构的底面与衬底之间且具有预设阻值的电阻器；预设阻值与导电结构的阻抗值之和大于预设阈值；导电结构与栅极结构的栅导电层的至少部分在相同的工艺步骤中同步制备而成。本申请有利于在形成阻值可调节的电阻结构的前提下，提高接触孔的填孔能力、缩短电流的流通路径，从而提高半导体结构的性能。
