本文源自:金融界
金融界 2024 年 11 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，华天科技（昆山）电子有限公司申请一项名为“可降低 TSV 孔底应力的扇出型封装结构及其制作方法”的专利，公开号 CN 118919507 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种可降低 TSV 孔底应力的扇出型封装结构的制作方法，包括如下步骤：取一硅基板，在该硅基板上开设 TSV 孔，该 TSV 孔为盲孔，且其上部为倒角结构；在 TSV 孔中形成向硅基板对应于倒角结构的一面延伸覆盖的复合线路结构；在复合线路结构上键合支撑基板，然后对硅基板的另一面进行减薄，直至复合线路结构暴露；在硅基板的远离复合线路结构的一侧开设凹槽，在凹槽中贴装芯片；在硅基板的远离复合线路结构的一侧形成线路导出结构。本发明通过倒角结构的 TSV 孔可降低孔底应力，减少对绝缘层的影响，并可避免绝缘层以及金属线路层材料在 TSV 孔的孔口处出现堆积的问题；本发明可提高扇出封装结构的良率，节约封装成本。
