本文源自:金融界
金融界 2024 年 11 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，厦门士兰明镓化合物半导体有限公司申请一项名为“种 VDMOS 器件及其制备方法”的专利，公开号 CN 118919565 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本申请公开了一种 VDMOS 器件及其制备方法，VDMOS 器件包括第一区域、第二区域和第三区域；多个元胞结构，位于第一区域和第二区域的半导体层；源极互连结构，位于第一区域和第二区域，与每个元胞结构的源极电极电连接；栅极互连结构，位于第三区域，与每个元胞结构的栅极导体电连接；栅极压焊结构，位于第二区域和第三区域，与所述栅极互连结构电连接；隔离结构，位于第二区域；其中，所述栅极压焊结构经由所述隔离结构与所述源极互连结构以及所述源极互连结构下方的第二区域的元胞结构隔离。
