本文源自:金融界
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“金属互连结构的制备方法”的专利，公开号 CN 118919487 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本申请提供一种金属互连结构的制备方法，包括：提供一半导体结构，半导体结构表面依次形成有第一阻挡层、低K介电层、缓冲层和硬掩膜层；刻蚀形成沟槽，沟槽底部露出金属互连层；在沟槽内壁形成扩散抑制层；通过电化学镀工艺在沟槽中形成主金属层；进行低温热退火工艺；进行高温热退火工艺；研磨去除部分主金属层、部分扩散抑制层以及硬掩膜层和缓冲层。本申请通过在电化学镀工艺之后以及在研磨工艺之前增一道高温热退火工艺，使得主金属层中的晶粒可以在后续第二阻挡层(NDC层)淀积前完成晶粒的重组，晶粒充分长大，充分释放空位扩散到主金属层表面并消失，以提高主金属层的应力迁移的可靠性。
