本文源自:金融界
金融界 2024 年 11 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法”的专利，公开号 CN 118919488 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本发明提供了半导体器件及其制作方法，在半导体器件制作方法中，在第一层间介质层中制作导电插塞之后，在第一层间介质层上制作第二层间介质层及位于第二层见介质层中的插孔，紧接着去除部分深度的导电插塞以形成插槽，之后在剩余的部分导电插塞上方及其上的插孔中填充互连层插塞，该互连层插塞的电阻率相对小于导电插塞的电阻率。这样，一方面导电插塞能够提供良好的导电稳定性，另一方面通过使用互连层插塞替代上方的一部分导电插塞，能够降低第一层间介质层中导电插塞的电阻率，有效降低 RC 延迟，提升半导体器件的性能。
