本文源自:金融界
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、半导体结构的裂片方法”的专利，公开号 CN 118919519 A，申请日期为 2024年7月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其形成方法、半导体结构的裂片方法。所述半导体结构包括：基底，包括衬底以及沿第一方向位于衬底上方的介质层，基底包括存储单元区域以及位于存储单元区域外部的切割道区域；关键尺寸监测结构，位于切割道区域，关键尺寸监测结构包括至少沿第一方向贯穿介质层的多个孔，且多个孔至少沿第二方向间隔排布；引导结构，位于切割道区域且分布于关键尺寸监测结构的外围，引导结构包括至少贯穿介质层第一引导结构，第一引导结构包括第一引导槽，且第一引导槽在衬底的顶面上的正投影与孔在衬底的顶面上的正投影的中心对齐。本发明提高了裂片制样的效率以及裂片机制样的成功率。
